倾佳电子SiC厨房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在电磁炉应用中的技术与商业分析
本报告对家用电磁炉领域的一项关键技术转型进行了权威性分析,深入探讨了以基本半导体(BASiC Semiconductor)的1400V B3M042140Z碳化硅(SiC)MOSFET全面取代传统1350V硅(Si)基反向导通绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT)
商业分析 sic 电磁炉 mosfet b3m042140z 2025-10-03 13:04 6
本报告对家用电磁炉领域的一项关键技术转型进行了权威性分析,深入探讨了以基本半导体(BASiC Semiconductor)的1400V B3M042140Z碳化硅(SiC)MOSFET全面取代传统1350V硅(Si)基反向导通绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT)
商业分析 sic 电磁炉 mosfet b3m042140z 2025-10-03 13:04 6