本报告对家用电磁炉领域的一项关键技术转型进行了权威性分析，深入探讨了以基本半导体（BASiC Semiconductor）的1400V B3M042140Z碳化硅（SiC）MOSFET全面取代传统1350V硅（Si）基反向导通绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）

商业分析 sic 电磁炉 mosfet b3m042140z 2025-10-03 13:04  6